Der MOSFET SSM3K333R basiert auf der neuesten n-Kanal-Prozesstechnik von Toshiba Electronics Europe. Er soll für Schaltspannungen im Bereich von 5 V optimiert sein und maximale Durchlasswiderstände von 42 bzw. 28 mΩ bei den Gate-Source-Spannungen von UGS =4,5 bzw. 10 V bieten. Der Baustein soll für eine maximale Drain-Source-Spannung von 30 V ausgelegt und damit kompatibel zu vielen industriellen Power-Management-Anwendungen sein.
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