Phase Change RAM
Halbleiter-Speichertechnologie, erfunden von S. R. Ovshinsky von der Firma Energy Conversion Devices, Inc. (Nasdaq: ENER). Die nichtflüchtige Speichertechnologie erzielt deutlich höhere Schreib- und Löschgeschwindigkeiten und zeichnet sich durch eine höhere Zyklusfestigkeit aus. Gegenüber konventionellen (siehe) Flash-Speichern ist auch die bessere Skalierungs-Leistung beim Umstieg auf neue Fotolithografie-Generationen hervorzuheben. Ein weiterer Vorteil ist der einfache Fertigungsprozess: Nur wenige zusätzliche Maskenschritte sind notwendig, um Halbleiterchips mit nichtflüchtigen Embedded-Speichern auszustatten. Die Kommerzialisierung der Array-adressierten Speichersysteme erfolgt im Rahmen von Gemeinschaftsentwicklungs-Programmen mit einer ganzen Reihe von Lizenznehmern
www.ovonic.com
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